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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法,包括以下步骤:S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;S3关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114574960 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202210169567.6 C30B 29/40 (2006.01)
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