原创力文档- 17
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- 2023-05-11 发布于四川
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本公开提供了一种存储芯片的测试方法、装置、存储介质与电子设备，属于半导体技术领域。所述方法包括：在所述待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从所述存储单元中读取存储数据；根据所述测试数据与所述存储数据，生成所述待测存储芯片的测试结果；其中，从所述存储单元中读取存储数据过程中，行选通脉冲预充电时间小于所述待测存储芯片的标准行选通脉冲预充电时间，和/或，所述待测存储芯片当前的感测延迟时间小于所述待测存储芯片的标准感测延迟时间。本公开可以提高存储芯片的测试效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582412 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210198602.7
(22)申请日 2022.03.02
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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