一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管.pdf

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本发明提供一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型阱区表面的有源区均设有肖特基势垒金属，所述第二导电类型保护环与其表面的肖特基势垒金属分离，并浮空设置在其肖特基势垒金属下方，所述第二导电类型保护环与第一导电类型阱区之间形成PN结，所述PN结设有一耗尽区，所述第一导电类型阱区与其表面的肖特基势垒金属形成肖特基结，在零偏状态下，所述PN结的耗尽区能够覆盖所述肖特基结的肖特基势垒金属的边缘。本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093164 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310367462.6 (22)申请日 2023.04.07 (71)申请人深圳市晶扬电子有限公司地址 5