半导体基底及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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半导体基底及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体基底及其制备方法。该半导体基底包括：一基部、至少一平台、至少一突起、一绝缘层、一盖层以及一钝化层。该至少一平台从该基部的一上表面延伸；该至少一突起连接到该至少一平台；该绝缘层设置在该至少一突起的上方；该盖层设置在该绝缘层的上方；该钝化层设置在该至少一突起、该绝缘层和该盖层的一侧壁上。该钝化层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层，该第一膜层和该第二膜层以交错配置布置。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111384151 A (43)申请公布日 2020.07.07 (21)申请号 20191