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本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET，包括从下到上依次设置N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延漂移层、P型扩散区、N型重掺杂扩散区、在垂直方向构建深槽、浅槽，深槽内构建屏蔽栅多晶硅与控制栅多晶硅，分别用隔离场氧与栅氧与沟槽边缘隔离，浅槽内构建控制栅多晶硅，用栅氧与沟槽边缘隔离，器件构建金属电极隔离氧，贯穿隔离氧、N型轻掺杂扩散区、P型扩散区构建梯形金属电极、金属电极与P型扩散区之间形成P型高掺杂区、器件顶部形成源极、器件底部形成漏极。本发明充分利用浅槽的抗翘曲能力大于深槽的原理，将控制器件开关的浅槽与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093163 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310322007.4 H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日 2023.03
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