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一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaNHEMT结构，Ga2O3FET结构和GaNHEMT结构均设置在衬底上，GaNHEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaNHEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlG

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582862 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210221722.4 H01L 21/8258 (2006.01) (

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