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本发明公开了一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和测试方法，所述电学测试结构形成有至少两根Fin，其中一根为非待测Fin记为Fin0，在剩下的Fin中选择至少一根为待测Fin记为Finn；Finn和Fin0平行排列，Finn与Fin0之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n为正整数；至少一个第一连接部记为Link_A、至少一个第二连接部记为Link_B；Link_A与Finn电连接，Link_B与Fin0电连接。本发明提供的电学测试结构简单、易于制造，适用于FinFET工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582837 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202111668933.4
(22)申请日 2021.12.31
(71)申请人 杭州广立微电子股份有限公司
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