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一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法，方法包括：对铜箔衬底和二氧化硅/硅衬底分别进行清洁处理；在处理完成的铜箔衬底上生长石墨烯薄膜；将生长完成的石墨烯薄膜从处理完成的铜箔衬底上转移至处理完成的二氧化硅/硅衬底上，以得到沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底；在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生长二硫化钼薄膜，以得到石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜。本发明通过在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生成二硫化钼，得到大面积连续高质量的二维二硫化钼薄膜，使得在范德瓦尔斯力的作用下，石

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114574835 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210182771.1 C23C 16/56 (2006.01)

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