单次可编程存储器电容结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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单次可编程存储器电容结构及其制作方法.pdf

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本发明公开一种单次可编程存储器电容结构及其制作方法，其中该单次可编程存储器电容结构包括半导体基底、下电极、电容绝缘层及金属电极堆叠结构。下电极设置于半导体基底上；电容绝缘层设置于下电极上；金属电极堆叠结构包含依序堆叠的金属层、绝缘牺牲层及覆盖层，其中金属层设置于电容绝缘层上以作为上电极，绝缘牺牲层设置于金属层及覆盖层之间。所公开的单次可编程存储器电容结构的制作方法，借由绝缘牺牲层的设置，可避免先形成的下电极被后续蚀刻等制作工艺影响而损坏，使得单次可编程存储器电容结构具有较佳的电气特性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093068 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202111313571.7 (22)申请日 2021.11.08 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国