《半导体物理学》第五章习题解.docx

第五章习题 在一个 n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为 1013cm-3, 空穴的寿命为 100us。计算空穴的复合率。 已知：?p ? 1013 / cm?3 ,? ? 100?s 求：U ? ？ 解：根据? ? ?p U 得：U ? ?p ?  1013  ? 1017  / cm3 s ? 100?10?6 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为, 空穴寿命为?。 写出光照下过剩载流子所满足的方程； 求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 解：均匀吸收，无浓度梯度，无飘移。 ? d?p ? ? ?p ? g dt ? L ?方程的通解：?p(t) ? Ae? t ? g ? ? L d?p (2)达到稳定状态时， ? 0 dt ? ? ?p ? g ? L ? 0. ??p ? g? 有一块 n 型硅样品，寿命是 1us，无光照时电阻率是 10??cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是 1022cm-3?s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？ 光照达到稳定态后. ? ?p ? g ? 0 ? L ?p ? ?n ? g? ? 1022 ?10?6 ? 1016 cm?3 光照前: ? 0 ? n q? 0 n 1 p q? 0 p ? 10?cm 光照后: ? ? np? n pq? p ? n q? 0 n p q? 0 p ?nq? n ?pq? p ? 0.10 ? 1016 ?1.6 ?10?19 ?1350 ? 1016 ?1.6 ?10?19 ? 500 ? 0.1 ? 2.96 ? 3.06s / cm ? ? 1 ? ? 0.32?cm. 少数载流子对电导的贡献 ?p ? p 0 .所以少子对电导的贡献,主要是?p的贡献. ? ?p9up ? 1016 ?1.6 ?10?19 ? 500 ? 0.8 ? 26% ? 1 3.06 3.06 一块半导体材料的寿命?=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止 20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ ??p(t) ? ?p(0)e? t ? ? e?p(20) ? ? e 10  ? 13.5% ?p(0) 光照停止20? s后，减为原来的13.5%。 n 型硅中，掺杂浓度 N =1016cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度?n=?p=1014cm-3。 D 计算无光照和有光照的电导率。 设T ? 300K , n i ? 1.5 ?1010 cm?3 .?n ? ?p ? 1014 / cm3 则n ? 1016 cm?3 , p 0 0 ? 2.25 ?104 / cm3 n ? n 0 ?n, p ? p 0 ?p 无光照: ? 0 ? n q? 0 n p qu 0 p ? n q? 0 n ? 1016 ?1.6 ?10?19 ?1350 ? 2.16s / cm 有光照: ? ? nq? n pq? p ? n q? 0 n p q? 0 p ? ?nq(? n ? ? ) p ? 2.16 ? 1014 ?1.6 ?10?19 ? (1350 ? 500) ? 2.16 ? 0.0296 ? 2.19s / cm (注：掺杂1016 cm?13的半导体中电子、空穴的迁移率近似等于本征 半导体的迁移率） 画出 p 型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 Ec Ec EE EFn E i i EF EE EFp E v v 光照前 光照后 掺施主浓度 N =1015cm-3 的 n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子 D ?n=?p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。 强电离情况，载流子浓度 n ? n 0 ? ?n ? 1015 ? 1014 ? 1.1?1015 / cm3 n 2 p ? p 0 ?p ? i N D ? 1014 (1.5 ?1010 )2 ? ? 1014 1015 ? 1014 / cm ?3 ?n ? n e EFn ? Ei ? ? ? ? i k T ? o ? ??? p ? n e Ei ? EFP ? ? ???i k T ? 0 ?E ? E ? k Tln n Fn i 0 ni 1.1?1015 EFn Ei ? k 0Tln 1.5 ?1010 ? 0.291eV E ? E ? k Tln P FP i 0 Pi  1014 EFP?Ei ? ?k 0Tln 1.5 ?1010 ? ?0.2