基于二维层状材料的芯片集成光控调制方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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基于二维层状材料的芯片集成光控调制方法.pdf

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本发明公开了一种基于二维层状材料的芯片集成光控调制方法，将以过渡金属硫化物为代表的二维层状材料大面积定向转移至芯片集成光学调制器表面，通过光场辐射产生自由载流子并调节芯片集成波导折射率，实现对芯片集成波导内传输光场的相位调制。本发明所述光控调制方法避免了调制电压过高引起的芯片集成波导击穿，同时具备同电光调制方法相近的调制速度，高度兼容于现有绝缘体上硅无源光学器件制备工艺，有望推动芯片集成光学调制器标准化制备发展进程，为全光驱动芯片集成光路提供重要参考。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114624902 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202011443332.9 (22)申请日 2020.12.08 (71)申请人军事科学院系统工程研究院网络信