半导体器件的制造方法和半导体器件.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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半导体器件的制造方法和半导体器件.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法和半导体器件；制造方法包括：提供半导体衬底，衬底具有第一区域和第二区域；在衬底的上表面形成初始掩膜层；图形化初始掩膜层，在第一区域上形成具有第一高度的第一图形掩膜，在第二区域上形成具有第二高度的第二图形掩膜，第一图形掩膜的图形密度大于第二图形掩膜的图形密度，第一高度大于第二高度；基于第一图形掩膜和第二图形掩膜对衬底进行刻蚀，将第一图形掩膜的图形转移至第一区域，将第二图形掩膜的图形转移至第二区域。本申请的方案在掩膜的图形密度不同的区域形成不同的掩膜厚度，平衡不同

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096224 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202111300177.X (22)申请日 2021.11.04 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23