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碳化硅单晶液相生长装置及方法.pdfVIP

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  • 2023-05-12 发布于四川
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碳化硅单晶液相生长装置及方法.pdf

    本发明提供了一种碳化硅单晶液相生长装置及方法，其中装置包括：长晶炉、顶部设置有开口的坩埚、可容纳坩埚的隔离罩以及通过开口伸入坩埚内部的籽晶杆；籽晶杆位于坩埚外部的一侧连接可进行升降和旋转的驱动机构；长晶炉内设置有加热元件；坩埚和隔离罩之间设置有保温层；隔离罩用于在容纳有坩埚和保温层的隔离罩放置在长晶炉内之后隔离坩埚和加热元件。本方案在碳化硅晶体的液相生长过程中，高温状态使坩埚内原料挥发，挥发物从坩埚顶部开口处外漏，隔离罩外漏至长晶炉内的挥发物和加热元件起到隔离作用，从而减少挥发物对加热元件的附着

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114574944 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210276362.8 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 北京晶格领域半导体有限公司 地址

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