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本公开提供了一种再生晶圆的制备方法,其包括如下步骤:采用第一清洗剂对晶圆进行第一清洗处理,采用第二清洗剂对所述晶圆进行第二清洗处理,采用第三清洗剂对所述晶圆进行第三清洗处理,采用第四清洗剂对所述晶圆进行第四清洗处理,在对所述晶圆进行第四清洗处理时,使所述晶圆旋转,朝向旋转的所述晶圆表面喷淋所述第四清洗剂,并使得所述第四清洗剂在清洗过程中于所述晶圆表面形成液膜,所述第四清洗剂包括双氧水;采用第五清洗剂对所述晶圆进行第五清洗处理,在对所述晶圆进行第五清洗处理时,控制所述晶圆旋转,并且朝向所述晶圆表面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116053114 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202310096013.2
(22)申请日 2023.01.19
(71)申请人 晶芯半导体(黄石)有限公司
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