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本发明的目的在于,提供在维持容错功能的同时能够实现高速传送的半导体集成电路。实施方式的半导体集成电路具备:第一MOS晶体管,栅极被赋予与第一电压的电压范围对应的信号电平的输入信号,d对基准电位点与中间节点之间的导通非导通进行控制;第二MOS晶体管,经由中间节点与第一MOS晶体管连接并与第一MOS晶体管一同构成堆叠,栅极被供给偏置电压,向中间节点施加第一MOS晶体管的耐压以下的电压;第三MOS晶体管,被供给比第一电压高的第二电压,栅极被赋予第一MOS晶体管的动所对应的电平的信号,输出与第二电压的电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114598313 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202110755802.3
(22)申请日 2021.07.05
(30)优先权数据
2020-201175 202
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