图案形成方法和使用图案形成方法的半导体装置制造方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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图案形成方法和使用图案形成方法的半导体装置制造方法.pdf

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提供了图案形成方法和使用图案形成方法的半导体装置制造方法。所述图案形成方法包括：在基底上形成第一覆盖层；形成穿透基底的上部和第一覆盖层的凹槽，使得第一覆盖层的未穿透部分构成第一覆盖图案；形成覆盖所述凹槽的内侧壁的第二覆盖图案；和在所述凹槽中形成堆叠结构，使得堆叠结构包括交替地堆叠的第一堆叠图案和第二堆叠图案，并且第二覆盖图案在基底与堆叠结构的侧表面之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096073 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202210882082.1 (22)申请日 2022.07.26 (30)优先权数据 10-2021-0146700