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一种半导体器件,包括:导电接触插塞,置在衬底上;位线结构,设置在导电接触插塞上;第一间隔物和第二间隔物;以及封盖图案,设置在第一间隔物和第二间隔物上。导电接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度窄的第二宽度的上部。位线结构包括在竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物在水平方向上堆叠在导电接触插塞的下部的侧壁上。封盖图案覆盖导电接触插塞的上部的侧壁。第一间隔物直接接触导电接触插塞的下部的侧壁,并且包括空气。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096078 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211290621.9
(22)申请日 2022.10.20
(30)优先权数据
10-2021-0151290
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