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碳化硅单晶生长装置及其装填方法.pdfVIP

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  • 2023-05-12 发布于四川
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碳化硅单晶生长装置及其装填方法.pdf

    本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及其装填方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，碳化硅单晶生长装置包括生长坩埚、多孔隔离筒、分隔盖板和籽晶盖板，多孔隔离筒设置在生长坩埚的底部并与生长坩埚的侧壁间隔设置，且多孔隔离筒与生长坩埚的侧壁之间形成有原料容置槽，分隔盖板盖设在原料容置槽上；籽晶盖板盖设在生长坩埚上，多孔隔离筒上形成有通孔，且多孔隔离筒用于过滤气相组分中携带的碳颗粒。相较于现有技术，本发明通过多孔隔离筒和分隔盖板将碳化硅粉料和晶体生长区域隔离开来，并利用多孔隔离筒实现过滤功能，可以有效避免碳化硅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116043324 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310009447.4 (22)申请日 2023.01.04 (71)申请人 湖南三安半导体有限责任公司 地址

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