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本发明涉及一种P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，包括：(1)对P型硅片进行预处理；(2)在硅片正面生长掩膜层；(3)在硅片背面进行碱抛光；(4)在硅片正面和背面均沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层，再对硅片背面磷掺杂得到磷掺杂多晶硅层；(5)去除硅片正面绕扩的磷硅玻璃层、本征多晶硅层、隧穿氧化层、掩膜层及硅片背面磷硅玻璃层；(6)对硅片进行退火，在硅片背面形成氧化层；(7)对硅片正面沉积第一膜层；(8)对硅片背面沉积第二膜层；(9)在硅片正面、背面分别制备电极，再经过光注入处理得到P型Topc
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093197 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211513569.9
(22)申请日 2022.11.29
(71)申请人 韩华新能源（启东）有限公司
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