掺β-Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器的制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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掺β-Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器的制备方法.pdf

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掺β‑Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器，属于半导体应用领域，它包括衬底、P型金刚石膜、薄膜、掺杂层和Ti/Ag电路；所述衬底为金刚石；所述衬底上表面设置P型金刚石膜，P型金刚石膜上面制备有薄膜；所述薄膜为β‑Ga2O3薄膜；薄膜上面制备有掺杂层。入射紫外光照射到器件表面时，被掺杂β‑Ga2O3与P型金刚石层组成的异质结吸收，产生的少数载流子注入积累到金刚石衬底中。本发明可有效解决β‑Ga2O3紫外探测器的散热问题，且能够通过氮对β‑Ga2O3的掺杂，实现带隙的调控从而实现紫外的宽光谱探测，并且

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597281 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202210191109.2 (22)申请日 2022.02.26 (71)申请人太原