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一种半导体器件包括：衬底，其具有单元阵列区、外围电路区和连接区；器件分离区，其包括在单元阵列区上限定单元有源区的第一器件分离层、在外围电路区上限定外围有源区的第二器件分离层、以及在连接区上限定有源坝的第三器件分离层；栅极结构，其包括栅电极，栅电极在单元阵列区上与单元有源区交叉、延伸至连接区上的第三器件分离层中、并且在第三器件分离层中具有端表面；以及栅极接触插塞，其在连接区上电连接至栅电极，其中，第三器件分离层包括第一绝缘衬垫、第一绝缘衬垫上的第二绝缘衬垫、以及嵌入绝缘层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096081 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211339623.2
(22)申请日 2022.10.28
(30)优先权数据
10-2021-0147720
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