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                本发明公开了一种基于二维层状材料的芯片集成微腔光控锁频方法,将以过渡金属硫化物为代表的直接带隙二维层状材料转移至芯片集成微腔表面,通过光场辐射产生自由载流子并调节波导折射率,通过调节辐射光场强度使自由载流子致折射率变化和热致折射率变化保持动态平衡,锁定微腔谐振频率。本发明能够将微腔谐振频率锁定于本征频率,即无光条件下微腔谐振频率,毋须调整信号光场频率,操作简单、方法可行且具有普适性,能够提升各种包含微腔结构的芯片集成光子器件可靠性与稳定性,为芯片集成光电信息系统提供重要参考。
                    
   (19)国家知识产权局 
                             (12)发明专利申请 
                                                     (10)申请公布号 CN 114609807 A 
                                                     (43)申请公布日 2022.06.10 
   (21)申请号  202011443480.0 
   (22)申请日  2020.12.08 
   (71)申请人 军事科学院系统工程研究院网络信 
        
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