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本发明公开了一种集成MISFET栅控功能和场板功能的氮化镓肖特基二极管，包括依次相接的衬底层、氮化镓层和势垒层；氮化镓层和势垒层部分区域被移除形成凹槽区域，凹槽区域内设有呈局域分布的绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域外势垒层上方设有绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域内绝缘层和欧姆金属层上方设有肖特基金属层；凹槽区域外绝缘层上方设有肖特基金属层，肖特基金属层、势垒层以及欧姆金属层上方设有钝化层；凹槽区域内，肖特基金属层、绝缘层以及氮化镓层形成金属‑绝缘层‑半导体场效应晶体管MISFET栅控结构；凹槽区域外，绝
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093143 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211239583.4 H01L 29/872 (2006.01)
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