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本公开涉及半导体器件制造方法。一种方法包括:执行原子层沉积(ALD)工艺以在晶圆上形成电介质层。所述ALD工艺包括ALD循环,所述ALD循环包括:以脉冲方式输送calypso((SiCl3)2CH2);清扫所述calypso;以脉冲方式输送氨;以及清扫所述氨。所述方法还包括对所述电介质层执行湿法退火工艺;以及对所述电介质层执行干法退火工艺。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114597171 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202110842269.4
(22)申请日 2021.07.26
(30)优先权数据
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