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本发明公开了一种双金属MOF衍生的Si@CoCu‑ZIF复合负极材料的制备方法，包括：将硅粉和十六烷基三甲基溴化铵分散于甲醇中，2‑甲基咪唑和钴盐、铜盐分别溶于DMF中进行超声；随后，将溶液混合后倒入水热反应釜中在干燥箱中加热，水热釜在通风橱中自发冷却至室温，离心分离得到前驱体Si@CoCu‑ZIF；将所得Si@CoCu‑ZIF在保护性气氛中退火一定时间即可得到具有中空结构的碳包覆硅负极材料产物。通过本方法制备的硅碳材料可有效解决充放电过程中硅材料体积膨胀导致的容量衰减问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114597358 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202111641839.X H01M 4/62 (2006.01)
(22)申请日 2021.12.2
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