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本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114592236 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202210254705.0
(22)申请日 2022.03.15
(71)申请人 昆明理工大学
地址 650093
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