晶体生长炉冷却方法及系统、晶片.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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晶体生长炉冷却方法及系统、晶片.pdf

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本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片，其中，晶体生长炉冷却方法包括：在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；向晶体生长炉中加入用于冷却晶体生长炉的埚底料，埚底料是晶体生长后剩余的硅料。如此，解决了现有技术中晶体生长炉冷却时长较长的问题，在晶体生长炉停炉后，将埚底料即回收的晶体生长剩余的硅料加入晶体生长炉中冷却晶体生长炉，由于硅料具有较高的导热系数和较大的比热容，可以使得晶体生长炉快速冷却，缩短了晶体生长炉的冷却时长，提高了冷却效率。埚底料是晶体生长所剩余的，可以就地取

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116043322 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310074549.4 (22)申请日 2023.01.16 (71)申请人三一硅能（株洲）有限公司地址