InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法.pdf

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本公开提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。本公开实施例能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597298 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202210087956.4 (22)申请日 2022.01.25 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司地址 3