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本申请公开一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的薄膜为包括纳米金属氧化物及纳米金属单质的混合物,其中,纳米金属单质的电阻率随温度升高而增长。纳米金属氧化物的电子迁移率随着温度升高而增大,纳米金属单质的加入,抑制温度变化对薄膜电子迁移率变化的影响程度,使薄膜在高温和低温下的电子迁移率保持接近。对于此薄膜作为电子传输层的光电器件,也能够避免光电器件在温度升高时因高电子迁移量而被破坏,使光电器件在高温下,仍然能具有与常温更为接近的载流子平衡,提高光电器件的器件稳定性。并且也能避免过高电子通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096123 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202111288717.7 B82Y 30/00 (2011.01)
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