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一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤：提供一基板(30)，及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤：提供一接收板件(42)，其具有一弹性体聚合物层(44)；安装基板(30)与接收板件(42)，以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50)，以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LL
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114616730 A
(43)申请公布日 2022.06.10
(21)申请号 202080061288.7 段忠 小川敬典 大竹滉平
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