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具有包括蚀刻停止/场控制层的多层栅极电介质层的功率半导体装置及形成此装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-12 发布于四川
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具有包括蚀刻停止/场控制层的多层栅极电介质层的功率半导体装置及形成此装置的方法.pdf

    一种半导体装置包括：包含碳化硅的半导体层结构；在半导体层结构上的栅极电介质层，该栅极电介质层包括在半导体层结构上的基部栅极电介质层和与半导体层结构相对地在基部栅极电介质层上的盖帽栅极电介质层；以及与半导体层结构相对地在栅极电介质层上的栅极电极。盖帽栅极电介质层的介电常数高于基部栅极电介质层的介电常数。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116097448 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202180048427.7 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所

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