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公开了纳米线阵列结构、包含该结构的产品及其制造方法。该结构(100)具有位于材料层(128)中的阱(160)中的纳米柱阵列(138)。该阵列的纳米柱在从阱底板(164)朝向阱口(168)的方向上延伸。硬掩模(140)覆盖阵列中的外围纳米柱并且向外延伸以覆盖阱口的其余部分。硬掩模(140)中的缺口(142)使设置在外围纳米柱内侧的纳米柱暴露。硬掩模(140)使该结构平坦化,避免在纳米柱阵列的外围处形成大的拓扑特征,从而促进将该结构集成到半导体产品中。至少一些外围纳米柱可以在阳极氧化物的孔中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093082 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211355125.7 H10N 97/00 (2023.01)
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