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本发明涉及信息存储技术领域,提出了一种沟槽型铁电存储单元结构及制备方法。本发明包括,在制备工艺中采用鳍式场效应晶体管FinFET替代传统平面型晶体管,相比于传统平面晶体管,FinFET晶体管在抑制短沟道效应,减小漏电方面有着绝对的优势。本发明还包括,将铁电电容器折叠集成于漏极区域开设的沟槽表面及侧壁。相比于传统结构,本发明提出的铁电存储单元结构可以使存储单元尺寸进一步缩小。在同等的工艺节点下,只需在存储器件结构上做改变,即可实现数据信息容量的较大提升。结构简单,可广泛用于高密度铁电存储器芯片。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664834 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202210250439.4
(22)申请日 2022.03.15
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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