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本发明涉及一种MOCVD设备的加热装置，包括有反应腔室、喷淋系统和底座，底座设置于反应腔室内壁底部，喷淋系统与反应腔室连通；底座包括有衬底托盘、加热组件、固定组件和旋转组件，衬底托盘设置于加热组件的上侧，固定组件设置于加热组件的下侧，衬底托盘上设置有可供衬底放置的放置槽，旋转组件驱动衬底托盘、加热组件和固定组件旋转。上述MOCVD设备的加热装置，能够通过可控硅调节器控制通向加热体的电压、电流，进而控制值加热体的功率，以实现精密控温，使反应温度精确控制在一定范围内，保证反应效率，而且能够通过固定组
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114622187 A
(43)申请公布日 2022.06.14
(21)申请号 202210288980.4 C23C 16/52 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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