一种MTJ结构中固定层的优化方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种MTJ结构中固定层的优化方法.pdf

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本发明提供了一种MTJ结构中固定层的优化方法，包括以下步骤：减小固定层磁性层的厚度；调节各磁性层的磁矩，使得固定层在自由层处的偏置场符合设定值。与现有技术相比，本发明提供的MTJ结构中固定层的优化方法能够在不影响MTJ结构整体稳定性的基础上，减小固定层厚度，从而减轻MTJ刻蚀损伤。实验结果表明，本发明提供的MTJ结构中固定层的优化方法一方面，降低MTJ刻蚀损伤，同时不影响参考层稳定性；另一方面，降低整体存储单元的厚度，有利于减少刻蚀时间，也为扩展到小尺寸提供光刻(Litho)及硬掩模(HM)更多

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114665007 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011535003.7 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人浙江驰拓科技有限公司地址 311