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- 2023-05-13 发布于四川
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本公开提供了一种掩埋结构半导体激光器，包括：衬底(10)、缓冲层(20)、有源层(30)、盖层(40)、掩埋结构(70)及接触层(80)；缓冲层(20)、有源层(30)、盖层(40)自下而上生长于衬底(10)上，被刻蚀至衬底(10)，形成底部宽、顶部窄的梯形结构；掩埋结构(70)对称设于梯形结构两侧，且将盖层(40)上表面的两侧区域覆盖，使盖层(40)上表面中间区域的宽度小于有源层的宽度；接触层(80)设于掩埋结构(70)和盖层(40)上。本公开还提供了该掩埋结构(70)半导体激光器的制备方法，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649746 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210261036.X
(22)申请日 2022.03.16
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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