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一种新型光探测器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种新型光探测器及其制作方法.pdf

    一种新型光探测器及其制作方法，涉及半导体技术领域，特别是属于一种新型光探测器及其制作方法。包括沿中心轴方向依次设置的衬底、N型电极层、第一间隔层、光吸收层、第二间隔层、P型电极层、介质层以及超结构，在P型电极层上形成有P电极，在N型电极层上形成有N电极，介质层与超结构通过刻蚀形成叠置在P型电极层上的第一圆柱形台体，第一间隔层、光吸收层、第二间隔层以及P型电极层通过刻蚀形成叠置在N型电极层上的第二圆柱形台体。本发明具有提高光电转换效率以及实现高效率的偏振转换的积极效果。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639745 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210234337.3 (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人 聊城大学 地址 252000 山

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