半导体结构的制作方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构的制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构的制作方法。所述制作方法在半导体基底表面形成材料层之前，对半导体基底表面的台阶进行了处理，具体利用干法蚀刻对位于较高位置的第一上表面和侧表面的二面角进行圆角化处理，并使基底垂向上的蚀刻量控制在限定范围内，以在对半导体基底表面的影响较小的基础上，使台阶落差变得缓和；沿半导体基底的表面形成一材料层后，所述材料层的厚度均匀性较好，在刻蚀所述材料层时，便于控制刻蚀时间，有助于在能够清除薄膜残留的同时，使半导体基底上的关键尺寸不至于因蚀刻时间过长而缩小，有利于满足制程规格，提升相应

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639598 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210500583.9 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司地址