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一种硅反应装置.pdfVIP

一种硅反应装置.pdf

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    本发明涉及一种硅反应装置，包括腔体以及多个进气部，进气部设置在腔体的顶部，进气部具有主体，主体上设置有凹部，在凹部上开设有多个进气孔，进气孔与腔体连通。本发明能够提高硅反应装置内硅片表面温度的均匀性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664707 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210289245.5 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 盛吉盛半导体科技（北京）有限公司 地

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