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- 2023-05-13 发布于四川
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本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法，包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100‑600℃加热10～60分钟，冷却到室温，即获得硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请的制备方法，先采用磁控溅射制备无定型的硒化亚锡膜层，再进行氯化物溶液处理和100‑600℃的退火处理，得到结晶硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请制备方法简单、易操
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114645257 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210254539.4
(22)申请日 2022.03.15
(71)申请人 北京大学深圳研究生院
地址 518
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