用于高密度存储器的具有背面沟道接触部的薄膜晶体管.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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用于高密度存储器的具有背面沟道接触部的薄膜晶体管.pdf

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描述了存储器装置中的集成电路(IC)结构。在示例中，IC结构包括存储器单元，该存储器单元包括沿着第一方向延伸的位线(BL)和在BL上方沿着与BL对角的第二方向延伸的沟道。在示例中，字线(WL)在与BL的第一方向垂直的第三方向延伸并且与沟道相交以沿着栅极控制的沟道长度控制沟道中的电流。在一些示例中，沟道在第一侧上经由存储节点接触部(SNC)电耦合到存储电容器并且在第二侧上经由位于所述沟道的下侧或背面上的位线接触部(BLC)电耦合到所述BL。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649334 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202111269586.8 (51)Int.Cl.