半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，提供初始衬底，所述初始衬底表面包括相邻的阱区和漂移区，其中，以所述阱区和与所述漂移区朝向所述阱区的部分区域为鳍部区，以所述漂移区背离所述阱区的部分区域为平台区；在所述鳍部区内去除部分区域的部分厚度的初始衬底，形成衬底、鳍部和与所述鳍部邻接的平台，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以所述鳍部区内凸出于所述衬底的初始衬底为鳍部，以所述平台区内凸出于所述衬底的初始衬底为平台；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分漂移区和部分阱区；在所述阱区内形成源

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664662 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011547633.6 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2020.12.