1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

雪崩光电探测器及其制备方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.49万字
  • 约 18页
  • 2023-05-13 发布于四川
  • 举报

雪崩光电探测器及其制备方法.pdf

    一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，SOI衬底包括多层含Si层；掺杂层，设置在SOI衬底的上部，并包括：倍增区；n型掺杂区，设置在倍增区的横向一侧，n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶梯部；p型掺杂区，设置在倍增区的远离n型掺杂区的外侧，与倍增区以及n型掺杂区形成横向n‑i‑p结；波导层，刻蚀在倍增区的纵向一端；窗口层，设置在掺杂层的上部，窗口层开设有第一窗口；光吸收层，经第一窗口设置在倍增区与n型掺杂区的台阶部上，从而在光吸收层内形成均匀的电场分布。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566557 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210195439.9 (22)申请日 2022.03.01 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 10

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >