一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统.pdf

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本发明属于电子电路技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET短路过流组合检测方法和系统，包括：根据SiCMOSFET的输出特性曲线，判断SiCMOSFET的导通电压是否大于第一电压阈值，若是则触发保护动作；在SiCMOSFET的开尔文极和源极之间设置寄生电感，检测寄生电感产生的感应电压，将感应电压输入积分器中，获得积分电压，判断积分电压是否小于第二电压阈值，若是则触发保护动作；将去饱和保护检测信号和开尔文保护检测信号进行或运算，然后输出总保护信号，统一触发后续保护动作。其能够对SiCMOSFE

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114660433 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210240281.2 (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人清华大学地址 100084 北京