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一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路.pdfVIP

一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路.pdf

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    本发明公开了一种高线性度GaNHEMT射频功率放大器电路，设置多个GaNHEMT管芯，每个GaNHEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaNHEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaNHEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaNHEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaNHEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaNHEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114650020 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210111211.7 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日 2022.01

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