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本发明提供晶片的加工方法，能够简易地去除残留在晶片的外周部的增强部。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片在正面侧具有在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的器件区域，该晶片在背面侧具有形成于与器件区域对应的区域的凹部，该晶片在外周部具有围绕器件区域和凹部的环状的增强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削工序，将器件区域分割成多个器件芯片，并且在增强部形成切削槽；分割工序，以切削槽作为起点而将增强部分割；以及去除工序，从位于晶片的外侧的规定的喷射位置
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114628324 A
(43)申请公布日 2022.06.14
(21)申请号 202111475164.6
(22)申请日 2021.12.06
(30)优先权数据
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