单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达.pdf

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本发明实施例提供一种单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达，在本发明实施例提出的单光子雪崩二极管工作时，通过所述第一接触孔插塞对所述深槽隔离结构施加电压，调制所述PN结的周围区域的电场，从而使得更多的载流子集中于PN结区域，有利于降低PN结边缘区域被击穿的概率。且因为所述深槽隔离结构与所述第一掺杂区相间隔，从而在通过对深槽隔离结构施加电压时，能够有效地对PN结边缘区域的电场进行调制，同时所述PN结的电场强度不易受到深槽隔离结构的电压的影响，有利于提高所述单光子雪崩二极管的电学性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664965 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011528558.9 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人上海禾赛科技有限公