半导体结构的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

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本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，所述衬底包括单元区及位于所述单元区外围的外围区；于衬底的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有第一开口图形及第二开口图形，所述第一开口图形位于所述单元区内，以定义出字线沟槽的形状及位置，所述第二开口图形位于所述外围区内，以定义出外围栅极沟槽的形状及位置；基于图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于单元区内形成字线沟槽，并同时于外围区内形成外围栅极沟槽；于字线沟槽内形成埋入式字线，并同时于外围栅极沟槽内形成埋入式栅极。本申请在保证外围区内

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695269 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011630018.1 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230