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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-14 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：标准单元，标准单元包括有源区，有源区包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的源区和漏区；位于标准单元上方的第一导电层，第一导电层包括沿第一方向排布且沿第二方向延伸的多条电源线以及多条信号线，其中，一源区或者一漏区与多条电源线中的至少两条电源线电连接。本公开实施例至少有利于提升半导体结构的电学性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110882 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202310389630.1 (22)申请日 2023.04.13 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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