一种半导体存储器结构及接触孔中填充导电材料的方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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一种半导体存储器结构及接触孔中填充导电材料的方法.pdf

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本发明涉及中一种半导体存储器结构及接触孔填充导电材料的方法。接触孔中填充导电材料的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区；在所述半导体衬底上方形成介质层，在所述介质层中形成露出一部分所述有源区的接触孔；向接触孔中沉积硅籽晶层；在所述硅籽晶层表面沉积高掺杂硅层；在所述高掺杂硅层表面沉积低掺杂硅层；在所述低掺杂硅层表面沉积无掺杂硅层；其中，所述高掺杂硅层中掺杂原子的含量＞所述低掺杂硅层中掺杂原子的含量。本发明实现了接触孔内孔洞更少连接的目的，并且采用梯度掺杂的硅层叠而成的导电材料，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695264 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011568330.2 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10